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与普通CdS/MoS2复合光催化剂相比，企业企业Ni0.05 dopedCdS/MoS2 稀磁半导体光催化剂在磁场下其光催化产氢性能提高3.89倍。然而，技术价结家上大多数光催化剂是不具有自旋极化特性的非磁性半导体，限制了磁场调控自旋极化的应用。

文章通讯作者为山东大学桑元华教授、中心山东大学刘宏教授，中心第一作者为山东大学晶体材料国家重点实验室的高文强博士和博士研究生赵晓蕾，山东大学为第一作者和通讯作者单位。I-t光电化学测试表明材料具有良好的光响应，年评且施加磁场光电流增强，Ni0.05 dopedCdS/MoS2增长最明显。配电图5. 理论计算理论计算表明Ni掺杂进CdS和MoS2中赋予材料自旋极化特性。

近日，行业相关山东大学晶体材料国家重点实验室桑元华教授、刘宏教授提出了一种新型的策略赋予非磁半导体自旋调控的光催化性能。结合谱学与电化学手段，国家果输证实了磁场作用下自旋极化电子的平行排列与巨磁阻效应抑制光生电子-空穴的复合并促进电子输运是其性能提高的主要原因。

在不施加磁场时，企业企业Ni掺杂赋予CdS自旋极化特性从而抑制光生电子-空穴的复合。

稀磁半导体指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，技术价结家上其具有半导体和磁性的性质，技术价结家上即在一种材料中同时拥有电子电荷和自旋两种自由度，因而引起科研工作者的广泛关注。然后，中心为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。

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